So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.
- Leistung auf dem nächsten Level
Mit bis zu 3.500 MB/s Lese- und bis zu 3.300 MB/s Schreibgeschwindigkeit ist die 970 EVO Plus bis zu 53%3 schneller als das Vorgängermodell 970 EVO. Die neueste Generation der V-NAND-Technologie sorgt für eine herausragende Leistung und verbesserte Energieeffizienz. Zusätzlich zeichnet sich die 970 EVO Plus durch optimierte Firmware, den bewährten Phoenix-Controller sowie die Intelligent TurboWrite-Technologie für die Beschleunigung von Schreibvorgängen aus. - Flexibilität durch gutes Produktdesign
Die 970 EVO Plus zeigt die Weiterentwicklung im Bereich der NVMe-SSDs. Neben einer hohen Performance bietet sie eine große Speicherkapazität im kompakten M.2-Formfaktor (2280). Sie bietet damit viel Speicherplatz bei geringen Abmessungen und spart damit wertvollen Platz für andere Komponenten. Innovative Samsung-Technologien ermöglichen es Ihnen damit, den Freiraum zu haben, den sie benötigen um viel zu erreichen und noch mehr zu bewerkstelligen. - Außergewöhnliches Durchhaltevermögen
Die 970 EVO Plus bietet eine beruhigend lange Lebensdauer basierend auf modernster V-NAND Speichertechnologie und bewährter Samsung-Qualität. - Unbedingte Zuverlässigkeit
Haben Sie noch mehr Vertrauen. Der bewährte Samsung Phoenix-Controller ist mit einer Schicht aus Nickel überzogen und das Laufwerksmodul der 970 EVO Plus mit einem dünnen Heat Spreader versehen, so dass die entstehende Wärme im Betrieb effektiv abgeführt wird. Darüber hinaus wacht die Dynamic Thermal Guard-Funktion ständig über das Laufwerk, so dass optimale Betriebstemperaturen eingehalten werden und die Performance konstant gehalten werden kann.
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstelle
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
3500 MBps (lesen)/ 3200 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
19000 IOPS
4 KB Random Write
60000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write
550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
480000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.8 Watt (Durchschnitt) ¦ 9 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum)
Verschiedenes
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Informationen zur Kompatibilität
Entwickelt für
Intel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE
Deutsch
English
