Samsung SSD 1TB 970 EVO Plus M 2 Samsung2 Samsung 2 PCI-Express PCIExpress (MZ-V7S1T0BW) (MZV7S1T0BW)
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Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - SSD - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - Puffer: 1 GB - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption

Menge:

Kategorie (Festplatten)
PC Komponenten
SSDs
OEM
MZ-V7S1T0BW
EAN
8801643628086
SKU
samsd000015 (113554)
Hersteller
Samsung
Typ
Solid State Disk
Linie
Samsung 970 Evo
Zolltarifnummer
84717098
UNSPSC
43201803
eClass
19-03-02-09
eClass V7
19-15-01-90
Maße (Umfang)
145 x 100 x 20 (385)
Speicherkapazität
1.024GB
Typ
Solid State Disk
Transferrate
2.620 MB/s - 4.500 MB/s
Bauform (Intern/Extern)
Intern

So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.

  • Flexibilität durch gutes Produktdesign
    Die 970 EVO Plus zeigt die Weiterentwicklung im Bereich der NVMe-SSDs. Neben einer hohen Performance bietet sie eine hohe Speicherkapazität im kompakten M.2-Formfaktor (2280). Sie bietet damit viel Speicherplatz bei geringen Abmessungen und spart damit wertvollen Platz für andere Komponenten. Innovative Samsung-Technologien ermöglichen es Ihnen damit, den Freiraum zu haben, den sie benötigen um viel zu erreichen und noch mehr zu bewerkstelligen.
  • Unbedingte Zuverlässigkeit
    Der bewährte Samsung Phoenix-Controller ist mit einer Schicht aus Nickel überzogen und das Laufwerksmodul der 970 EVO Plus mit einem dünnen Heat Spreader versehen, so dass die entstehende Wärme im Betrieb effektiv abgeführt wird. Darüber hinaus wacht die Dynamic Thermal Guard-Funktion ständig über das Laufwerk, so dass optimale Betriebstemperaturen eingehalten werden und die Performance konstant gehalten werden kann.

Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
1 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puffergröße
1 GB
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
8 g
Leistung
SSD-Leistung
600 TB
Interner Datendurchsatz
3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
19000 IOPS
4 KB Random Write
60000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write
550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
600000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
6 Watt (Durchschnitt) ¦ 9 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum)
Verschiedenes
Kennzeichnung
IEEE 1667
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen